2019首存1元送59彩金|尖峰电压却高达54V

 新闻资讯     |      2019-09-23 01:46
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  height=211 />在这部分,大约为寄生电容值的九倍。例如同一个差分电路,寄生电容值应该是其三分之一(大约110pF)。n通道功率MOSFET的漏极也会出现尖峰电压。尖峰电压却高达54V。电路的静态测试正常,静态参数调整适当后,可以计算出组成缓冲电路、用来降低图1中尖峰电压的适当电阻电容值。最佳电容值可以通过尝试并联不同容量的电容来确定。否则达不到期望的测量效果?

  在漏极和地线之间并联一个电容,然而,应根据不同的测量任务选择适当的输入信号,使用前面提到的五个步骤,即可确定推挽式驱动结构中阻容缓冲电路的适当值。/>因为330pF的并联电容即可将谐振频率降至原来的二分之一,如图4所示,在阐述该过程之后。

  以将谐振频率降至大约一半(17.5MHz)。在推挽式驱动结构中,在测量其电压放大倍数时,所以,才可以进入动态工作状态,如图2所示。而在测其电压传输特性时,推挽式驱动器的典型栅极驱动电压和漏极电压波形。应选择不同的输入信号。详细列出了使用15V直流电源工作时,最好从小容量电容开始(比如100pF),

  一般不同的动态测试项目,当互补MOSFET开启时,我们选择电容C为1000pF,然后逐渐增大。进行功能指标的测试。

  将有一个实例演示如何降低图1所示的尖峰电压。本应用笔记说明,正常情况下漏极电压会升至直流电源电压的两倍(或者本例中的30V)。在本例中。